对比图
型号 FQPF33N10 STP120NF10 PSMN027-100XS,127
描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VTO-220F N-CH 100V 23.4A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V -
额定电流 18.0 A 120 A -
漏源极电阻 52.0 mΩ 0.009 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 41 W 312 W 41.1W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 110 A 23.4A
上升时间 195 ns 90 ns 8.5 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 1624pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 41 W 312 W 41.1 W
下降时间 110 ns 68 ns 9.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 41W (Tc) 312000 mW 41.1W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 4 V -
长度 10.36 mm 10.4 mm -
宽度 4.9 mm 4.6 mm -
高度 16.07 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -