对比图
型号 FDN308P PMV65XP,215 NTR1P02LT1G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDN308P 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.5 A, -20 V, 125 mohm, -4.5 V, -1 VNXP PMV65XP,215 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -20 V, 0.058 ohm, -4.5 V, -750 mVON SEMICONDUCTOR NTR1P02LT1G. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 1.3A SOT-23
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.125 Ω 0.058 Ω 0.14 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 500 mW 833 mW 400 mW
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) -1.50 A -3.90 A 1.30 A, 1.30 mA
上升时间 10 ns 18 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 341pF @10V(Vds) 744pF @20V(Vds) 225pF @5V(Vds)
额定功率(Max) 460 mW 1.92 W 400 mW
下降时间 10 ns 68 ns 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500mW (Ta) 480mW (Ta) 400mW (Ta)
额定电压(DC) -20.0 V - -20.0 V
额定电流 -1.50 A - -1.30 A
输入电容 341 pF - 225 pF
栅源击穿电压 ±12.0 V - ±12.0 V
栅电荷 3.80 nC - -
长度 2.92 mm 3 mm -
宽度 1.4 mm 1.4 mm -
高度 0.94 mm 1 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
香港进出口证 - NLR -
ECCN代码 EAR99 - EAR99