MTD6N15T4和MTD6N15T4G

对比图

型号 MTD6N15T4 MTD6N15T4G MTD6N15

描述 功率场效应晶体管DPAK封装的表面贴装 Power Field Effect Transistor DPAK for Surface MountON SEMICONDUCTOR  MTD6N15T4G  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 6A, D-PAKTMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3Ω

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Motorola (摩托罗拉)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

额定电压(DC) 150 V 150 V -

额定电流 6.00 A 6.00 A -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 300 mΩ 0.3 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 1.25W (Ta), 20W (Tc) 50 W -

阈值电压 - 4.5 V -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

漏源击穿电压 150 V 150 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 6.00 A -

上升时间 - 180 ns -

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.25 W -

下降时间 - 100 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) 1.25W (Ta), 20W (Tc) 1.25W (Ta), 20W (Tc) -

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.38 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -