IXFH30N50P和STW26NM50

对比图

型号 IXFH30N50P STW26NM50 APT5016BLLG

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS  STW26NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 VTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.2 Ω 0.12 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 460 W 313 W 329 W

阈值电压 5 V 4 V -

输入电容 4.15 nF - 2.83 nF

栅电荷 70.0 nC - 72.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 24 ns 15 ns 10 ns

反向恢复时间 200 ns - -

输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds) 2833pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W 313 W -

下降时间 24 ns 19 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 313W (Tc) 329W (Tc)

宽度 5.3 mm - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 -

ECCN代码 - EAR99 -