2SK2887TL和FQD4N20TM

对比图

型号 2SK2887TL FQD4N20TM FDD6N20TM

描述 Mosfet n-Ch 200V 3A DpakTrans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD6N20TM  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 200 V, 0.6 ohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 3.00 A 3.00 A -

通道数 1 1 -

漏源极电阻 700 mΩ 1.40 Ω 0.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 20 W 2.5 W 40 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3.00 A 4.5A

上升时间 12 ns 50 ns 5.6 ns

输入电容(Ciss) 230pF @10V(Vds) 220pF @25V(Vds) 230pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 20 W 2.5 W 40 W

下降时间 34 ns 25 ns 12.8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 20W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 40W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 5 V

长度 6.5 mm 6.73 mm -

宽度 5.5 mm 6.1 mm -

高度 2.3 mm 2.39 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - EAR99 EAR99