对比图
型号 SPA11N80C3XKSA1 STF11NM80 IPA80R450P7XKSA1
描述 INFINEON SPA11N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.39 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STF11NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 350 mohm, 10 V, 4 V晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.38 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V 800 V -
额定电流 11.0 A 11.0 A -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.39 Ω 0.35 Ω 450 mΩ
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 41 W 35 W 29 W
阈值电压 3 V 4 V 3 V
输入电容 1600 pF - -
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.0 A -
上升时间 15 ns 17 ns 6 ns
正向电压(Max) 1.2 V - -
输入电容(Ciss) 1600pF @100V(Vds) 1630pF @25V(Vds) 770pF @500V(Vds)
下降时间 7 ns 15 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 41 W 35W (Tc) 29W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源击穿电压 - 800 V 800 V
额定功率 - 35 W -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
额定功率(Max) - 35 W -
长度 10.65 mm 10.4 mm 10.65 mm
宽度 4.85 mm 4.6 mm 4.85 mm
高度 9.83 mm 9.3 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
香港进出口证 - NLR -