IRF1405S和IRF1405STRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF1405S IRF1405STRRPBF IRF1405STRLPBF

描述 D2PAK N-CH 55V 131AD2PAK N-CH 55V 131AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 55.0 V - -

额定电流 131 A - -

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 200W (Tc) 200 W 200 W

产品系列 IRF1405S - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 131 A 131A 131A

上升时间 190 ns 190 ns 190 ns

输入电容(Ciss) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds) 5480pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 200W (Tc) 200W (Tc) 200W (Tc)

通道数 - 1 1

漏源极电阻 - 5.3 mΩ 0.0053 Ω

漏源击穿电压 - 55 V 55 V

下降时间 - 110 ns 110 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - - 200 W

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 5480 pF

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 6.5 mm 10.67 mm

宽度 - 6.22 mm 11.3 mm

高度 - 2.3 mm 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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