IRF1405STRRPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRF1405STRRPBF概述

D2PAK N-CH 55V 131A

表面贴装型 N 通道 55 V 131A（Tc） 200W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 55V 131A D2PAK

立创商城:
IRF1405STRRPBF

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MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 5.3mOhms 170nC

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Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

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单 N 沟道 55 V 200 W 170 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 131A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

IRF1405STRRPBF中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 5.3 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 200 W

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55 V

连续漏极电流Ids 131A

上升时间 190 ns

输入电容Ciss 5480pF @25VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF1405STRRPBF

型号： IRF1405STRRPBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：D2PAK N-CH 55V 131A

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