IRFR4104PBF和STD150N3LLH6

对比图

型号 IRFR4104PBF STD150N3LLH6 STD120N4F6

描述 N沟道 40V 42AN 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。N沟道40 V ， 3.5 MI © ， 80 A， DPAK ， D²PAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

耗散功率 140 W 110 W 110 W

阈值电压 4 V 2.5 V 4 V

漏源极电压(Vds) 40 V 30 V 40 V

上升时间 69.0 ns 18 ns 70 ns

输入电容(Ciss) 2950pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 110 W 110 W

下降时间 - 46 ns 20 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 110W (Tc) 110W (Tc)

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 42.0 A - -

漏源极电阻 5.5 mΩ 0.0028 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

产品系列 IRFR4104 - -

漏源击穿电压 40.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 42.0 A - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -