对比图
型号 STP140NF75 STP5NK100Z IRFB3307ZGPBF
描述 STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VN 沟道 75 V 230 W 79 nC 功率 MosFet 法兰安装 - TO-220AB-3
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 310 W 125 W 230W (Tc)
漏源极电压(Vds) 75 V 1 kV 75 V
连续漏极电流(Ids) 120 A 3.50 A 120A
上升时间 140 ns 7.7 ns 64 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 4750pF @50V(Vds)
下降时间 90 ns 19 ns 65 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 310W (Tc) 125W (Tc) 230W (Tc)
额定电压(DC) 75.0 V 1.00 kV -
额定电流 120 A 3.50 A -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0075 Ω 3.7 Ω -
阈值电压 4 V 3.75 V -
输入电容 5000 pF - -
漏源击穿电压 75.0 V 1.00 kV -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -
额定功率(Max) 310 W 125 W -
额定功率 - 125 W -
通道数 - 1 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 9.15 mm 9.15 mm -
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -