对比图
型号 BSS138LT1G BSS138LT3G BSS138
描述 ON SEMICONDUCTOR BSS138LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 50 V, 3.5 ohm, 5 V, 1.5 VON SEMICONDUCTOR BSS138LT3G. 场效应管, MOSFET, N沟道, 50V, 200mA SOT-23, 整卷FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSS138 晶体管, MOSFET, N沟道, 220 mA, 50 V, 3.5 ohm, 10 V, 1.3 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V 50.0 V
额定电流 200 mA 200 mA 220 mA
额定功率 0.225 W - 360 mW
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
通道数 1 1 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 3.5 Ω 5.6 Ω 3.5 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 225 mW 225 mW 360 mW
阈值电压 1.5 V 500 mV 1.3 V
输入电容 40pF @25V 50.0 pF 27.0 pF
漏源极电压(Vds) 50 V 50 V 50 V
漏源击穿电压 50 V 50.0 V 50 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 200 mA 200 mA 220 mA
输入电容(Ciss) 50pF @25V(Vds) 50pF @25V(Vds) 27pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 225 mW 225 mW 360 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 225 mW 225 mW 360 mW
栅电荷 - - 2.40 nC
上升时间 - - 9 ns
下降时间 - - 7 ns
长度 2.9 mm 2.9 mm 2.92 mm
宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm
高度 0.94 mm 0.94 mm 0.93 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR