对比图
型号 CSD16410Q5A SIR468DP-T1-GE3 CSD16412Q5A
描述 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETVISHAY SIR468DP-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N通道, 30V, 40A, SOIC, 整卷N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Vishay Semiconductor (威世) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 VSON-FET-8 PowerPAK SO VSON-FET-8
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 0.0068 Ω 0.0047 Ω 0.009 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3 W 50 W 3 W
阈值电压 1.9 V 1 V 2 V
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 25 V
连续漏极电流(Ids) 59.0 A 40.0 A 52.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
通道数 1 - 1
漏源击穿电压 25 V - -
上升时间 10.7 ns - 7.1 ns
输入电容(Ciss) 740pF @12.5V(Vds) - 530pF @12.5V(Vds)
额定功率(Max) 3 W - 3 W
下降时间 3.6 ns - 3.3 ns
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 3W (Ta) - 3W (Ta)
封装 VSON-FET-8 PowerPAK SO VSON-FET-8
长度 6 mm - 5.8 mm
宽度 4.9 mm - 4.9 mm
高度 1 mm - 1.1 mm
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 - 正在供货
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
ECCN代码 EAR99 - EAR99