对比图
型号 CSD16411Q3 SI7112DN-T1-GE3 IRFH3702TRPBF
描述 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A 8Pin PowerPAK 1212 T/RINFINEON IRFH3702TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 30 V, 0.0057 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 VSON-Clip-8 1212 QFN-8
通道数 1 - 1
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.008 Ω 0.006 Ω 0.0057 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 2.7 W 1.5 W 2.8 W
阈值电压 2 V 600 mV 1.8 V
漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 56.0 A - 16A
上升时间 7.8 ns - 15 ns
输入电容(Ciss) 570pF @12.5V(Vds) - 1510pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2.7 W - 2.8 W
下降时间 3.1 ns - 5.8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.7W (Ta) - 2.8W (Ta)
额定功率 - - 2.8 W
长度 3.3 mm - 3 mm
宽度 3.3 mm - 3 mm
高度 1 mm - 0.95 mm
封装 VSON-Clip-8 1212 QFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 - Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17