对比图
型号 IPD65R225C7ATMA1 IPD65R250C6XTMA1
描述 INFINEON IPD65R225C7ATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 650 V, 0.199 ohm, 10 V, 3.5 VInfineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R250C6XTMA1, 16 A, Vds=700 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 中高压MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 63 W 208.3 W
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.199 Ω 0.23 Ω
极性 N-Channel N-CH
耗散功率 63 W 208.3 W
阈值电压 3.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 11A 16.1A
上升时间 6 ns 11 ns
输入电容(Ciss) 996pF @400V(Vds) 950pF @100V(Vds)
下降时间 10 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 63W (Tc) 208.3W (Tc)
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 -