ZTX849STOA和ZTX849STZ

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZTX849STOA ZTX849STZ ZTX849

描述 TRANS NPN 30V 5A E-LINETrans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line BoxDIODES INC.  ZTX849  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 1.2 W, 5 A, 200 hFE

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 E-Line-3 E-Line-3 E-Line-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 5.00 A 5.00 A 5.00 A

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.2 W 1200 mW 1.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) 100 @1A, 1V 100 @1A, 1V 100 @1A, 1V

额定功率(Max) 1.2 W 1.2 W 1.2 W

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1200 mW 1200 mW

增益频宽积 100 MHz - -

最大电流放大倍数(hFE) 100 @10mA, 1V - -

封装 E-Line-3 E-Line-3 E-Line-3

长度 4.77 mm - -

宽度 2.41 mm - -

高度 4.01 mm - -

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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