对比图
型号 STI21N65M5 STI8N65M5 STU5N95K3
描述 N沟道650 V， 0.150 I© ， 17的MDmeshâ ?? ¢ V功率MOSFET D²PAK ， TO- 220FP ， TO- 220 ， I²PAK ， TO- 247 N-channel 650 V, 0.150 Ω, 17 A MDmesh⢠V Power MOSFET D²PAK, TO-220FP, TO-220, I²PAK, TO-247N沟道650 V， 0.56 Ω ， 7的的MDmesh ？ V功率MOSFET N-channel 650 V, 0.56 Ω, 7 A MDmesh? V Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STU5N95K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 950 V, 3 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-251-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 0.15 Ω - 3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 70 W 90 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 950 V
漏源击穿电压 - - 950 V
上升时间 - 14 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 1950pF @100V(Vds) 690pF @100V(Vds) 460pF @25V(Vds)
下降时间 - 11 ns 18 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 70W (Tc) 90W (Tc)
连续漏极电流(Ids) 17A - -
额定功率(Max) 125 W - -
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 2.4 mm
高度 - - 6.9 mm
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-251-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99