IRF5210STRRPBF和FQB47P06TM_AM002

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF5210STRRPBF FQB47P06TM_AM002 NTB25P06T4G

描述 Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB47P06TM_AM002  晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 VP 通道功率 MOSFET,30V 至 500V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -47.0 A -25.0 A

通道数 - - 1

针脚数 - 2 3

漏源极电阻 - 0.026 Ω 0.07 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 3.1 W 160 W 120 W

漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 60 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V ±15.0 V

连续漏极电流(Ids) -40.0 A -47.0 A 27.5 A

上升时间 - 450 ns 72 ns

输入电容(Ciss) 2780pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 1680pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.1 W 3.75 W 120 W

下降时间 - 195 ns 190 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.75 W 120 W

长度 - 10.67 mm 10.29 mm

宽度 - 9.65 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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