对比图
型号 FDC637AN SI3460DDV-T1-GE3 SI3446ADV-T1-E3
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC637AN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 20 V, 24 mohm, 4.5 V, 820 mVVISHAY SI3460DDV-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 7.9 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 400 mVVISHAY SI3446ADV-T1-E3 场效应管, MOSFET, N沟道, 20V, 6A, TSOP
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP
针脚数 6 6 6
漏源极电阻 0.024 Ω 0.023 Ω 65 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.6 W 1.7 W 2 W
阈值电压 820 mV 400 mV 1.8 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 6.20 A - 6.00 A
输入电容(Ciss) 1125pF @10V(Vds) 666pF @10V(Vds) 640pF @10V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6W (Ta) 2.7 W 2 W
额定电压(DC) 20.0 V - -
额定电流 6.20 A - -
输入电容 1.12 nF - -
栅电荷 10.5 nC - -
栅源击穿电压 ±8.00 V - -
上升时间 13 ns - -
额定功率(Max) 800 mW - -
下降时间 11 ns - -
长度 3 mm 3.1 mm 3.05 mm
宽度 1.7 mm 1.7 mm 1.65 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 TSOT-23-6 TSOP-6 TSOP
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -