VNB10N07和VNB10N07-E

对比图

型号 VNB10N07 VNB10N07-E VNB10N0713TR

描述 ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET电源负载分配开关, 低压侧, 18 V输入, 10 A, 0.1 ohm, 1输出, TO-263-3MOSFET OMNI N-CH 70V 10A D2PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器开关电源开关电源

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 - 120 A 7 A

耗散功率 50.0 W 50 W 50000 mW

输出电流(Max) 7 A 7 A 7 A

额定功率 - 50 W -

供电电流 - 0.25 mA -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 140 mΩ 140 mΩ -

极性 - N-Channel -

漏源击穿电压 10.0 V 10.0 V -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A -

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Min) - 7 A -

输入数 - 1 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

耗散功率(Max) - 50000 mW -

输入电压 - 18 V -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

高度 - 4.6 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99