对比图
型号 FDG6301N FDG6301N_F085 FDG6335N
描述 ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG6335N 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 700 mA, 20 V, 0.18 ohm, 4.5 V, 1.1 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
针脚数 6 - 6
漏源极电阻 4 Ω - 0.18 Ω
耗散功率 0.3 W 0.3 W 300 mW
阈值电压 850 mV - 1.1 V
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V 20 V
上升时间 4.5 ns 4.5 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 9.5pF @10V(Vds) 9.5pF @10V(Vds) 113pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW
下降时间 3.2 ns 3.2 ns 1.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 0.3 W
极性 - N-CH N-Channel, Dual N-Channel
连续漏极电流(Ids) - 0.22A 700 mA
额定电压(DC) - - 20.0 V
额定电流 - - 700 mA
漏源击穿电压 - - 20.0 V
栅源击穿电压 - - ±12.0 V
长度 2 mm 2 mm 2 mm
宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm
高度 1 mm 1 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99