对比图
型号 MJD2955 MJD2955G MJD2955T4G
描述 通用放大器低速切换应用D- PAK表面贴装应用 General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications D-PAK for Surface Mount ApplicationsMJD 系列 60 V 10 A PNP 互补 功率晶体管 - TO-252-3ON SEMICONDUCTOR MJD2955T4G Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 - TO-252-3 TO-252-3
频率 - 2 MHz 2 MHz
额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V
额定电流 - -10.0 A -10.0 A
针脚数 - 3 3
极性 - PNP N-Channel, P-Channel
耗散功率 - 1.75 W 1.75 W
击穿电压(集电极-发射极) - 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 10A 10A
最小电流放大倍数(hFE) - 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V
额定功率(Max) - 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) - 2 5
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1750 mW 1750 mW
热阻 - 6.25℃/W (RθJC) -
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - 2.38 mm 2.38 mm
封装 - TO-252-3 TO-252-3
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 - Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99