对比图
型号 IRLML6401PBF IRLML6401TRPBF SI2305DS-T1-E3
描述 INFINEON IRLML6401PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 50 mohm, -4.5 V, -550 mVINFINEON IRLML6401TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -4.3 A, -12 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -550 mVVISHAY SI2305DS-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -8 V, 52 mohm, -4.5 V, -800 mV
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23 SOT-23-3 TO-236
额定功率 - 1.3 W 1.25 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.05 Ω 0.05 Ω 52 mΩ
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 1.3 W 1.3 W 1.25 W
阈值电压 550 mV 550 mV -
输入电容 - 830 pF -
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V -8.00 V
连续漏极电流(Ids) 4.3A 4.3A 3.50 A
上升时间 - 32 ns -
输入电容(Ciss) - 830pF @10V(Vds) -
额定功率(Max) - 1.3 W -
下降时间 - 210 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1.3W (Ta) -
栅源击穿电压 - - ±8.00 V
长度 - 3.04 mm -
宽度 - 1.4 mm -
高度 - 1.02 mm -
封装 SOT-23 SOT-23-3 TO-236
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC