对比图
型号 DN2535N3-G DN2535N3-G-P013 2SK3018T106
描述 MICROCHIP DN2535N3-G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 350 V, 17 ohm, 0 VTrans MOSFET N-CH 350V 0.12A 3Pin TO-92 T/RROHM 2SK3018T106 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-92-3 SOT-323
额定功率 1 W - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 17 Ω - 8 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 1 W 1W (Tc) 200 mW
漏源极电压(Vds) 350 V 350 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 0.12A - 100 mA
输入电容(Ciss) 200pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds) 13pF @5V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1W (Tc) 1W (Tc) 200mW (Ta)
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 100 mA
阈值电压 - - 1.5 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
上升时间 - 15 ns 35 ns
额定功率(Max) - 1 W 200 mW
下降时间 - 20 ns 80 ns
长度 5.2 mm - -
宽度 4.19 mm - -
高度 5.33 mm - -
封装 TO-226-3 TO-92-3 SOT-323
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Not For New Designs
包装方式 Bag Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - - EAR99