FQD7N10和FQD7N10TF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQD7N10 FQD7N10TF FQD7N10TM

描述 100V N沟道MOSFET 100V N-Channel MOSFETMOSFETN沟道 100V 5.8A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DPAK DPAK TO-252-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 - 2.5 W 2.5W (Ta), 25W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 5.8A 5.8A 5.8A

输入电容(Ciss) - - 250pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 2.5 W

耗散功率(Max) - - 2.5W (Ta), 25W (Tc)

上升时间 - 24 ns -

下降时间 - 19 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 DPAK DPAK TO-252-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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