对比图
型号 FDB10AN06A0 STD18N55M5 STB60NF06LT4
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的60V ， 75A ， 10.5mз N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 75A, 10.5mзSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
通道数 1 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 9.5 mΩ 0.18 Ω 0.016 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 135 W 90 W 110 W
阈值电压 - 4 V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 550 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 550 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 16A 60.0 A
上升时间 128 ns 9.5 ns 220 ns
输入电容(Ciss) 1840pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 90 W 110 W
下降时间 36 ns 13 ns 30 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 135W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 75.0 A - 60.0 A
输入电容 1.84 nF - -
栅电荷 28.0 nC - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±15.0 V
长度 10.67 mm 6.6 mm 10.4 mm
宽度 9.65 mm 6.2 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 2.4 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99