对比图
描述 PNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTORPNP硅晶体管放大器 PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-39-3 TO-39
耗散功率 1 W 1 W
击穿电压(集电极-发射极) 175 V 175 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 10V 100 @50mA, 10V
额定功率(Max) 1 W 1 W
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW
封装 TO-39-3 TO-39
材质 Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Bag Bag
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
军工级 Yes -
ECCN代码 - EAR99