对比图
描述 NXP BST52 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 2000 hFENXP PUMB10,115 双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-363NXP BST52,115 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 200 MHz, 1.3 W, 1 A, 1000 hFE
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 6 3
封装 SOT-89 SOT-363-6 SOT-89-3
针脚数 3 6 3
极性 NPN PNP NPN
耗散功率 1.3 W 200 mW 1.3 W
直流电流增益(hFE) 2000 100 1000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 80 V
集电极最大允许电流 - 100mA 1A
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @10mA, 5V 2000 @500mA, 10V
额定功率(Max) - 300 mW 1.3 W
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW 1300 mW
增益带宽 - - 200 MHz
封装 SOT-89 SOT-363-6 SOT-89-3
高度 - 1 mm 1.6 mm
长度 - - 4.6 mm
宽度 - - 2.6 mm
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 - - 150℃ (TJ)
香港进出口证 - - NLR