对比图
型号 STP200N6F3 STP26NM60N STP8N65M5
描述 Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3Pin(3+Tab) TO-220 TubeN 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 710 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 1 1 -
漏源极电阻 3.3 mΩ - 0.56 Ω
耗散功率 330 W 140 W 70 W
漏源极电压(Vds) 60 V 600 V 650 V
漏源击穿电压 60 V - -
上升时间 75 ns 25 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 6800pF @25V(Vds) 1800pF @50V(Vds) 690pF @100V(Vds)
下降时间 14 ns 50 ns 11 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 330W (Tc) 140W (Tc) 70W (Tc)
针脚数 - - 3
极性 - N-Channel N-Channel
阈值电压 - - 4 V
连续漏极电流(Ids) - 10.0 A 7A
额定功率(Max) - 140 W 70 W
输入电容 - 1800 pF -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 15.75 mm 15.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR -