MUN5213DW1T1G和UMH2NTN

对比图

型号 MUN5213DW1T1G UMH2NTN MUN5213DW1T3G

描述 ON Semiconductor ### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。NPN 晶体管，ROHM### Digital Transistors, ROHMResistor-equipped bipolar transistors, also known as “Digital Transistors” or “Bias Resistor Transistors”, incorporating one or two integrated resistors. A single series input resistor, or a potential divider of two resistors, allows these devices to be directly driven from digital sources. Both single and dual transistor versions are available.双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K， R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-5 SOT-363

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 30.0 mA -

无卤素状态 Halogen Free - Halogen Free

极性 N-Channel, NPN NPN NPN

耗散功率 0.385 W 150 mW 187 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - 140

额定功率(Max) 250 mW 150 mW 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 385 mW 150 mW 385 mW

额定功率 - 0.15 W -

增益带宽 - 250 MHz -

长度 2 mm 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm 1.25 mm

高度 0.9 mm 0.9 mm 0.95 mm

封装 SC-70-6 SC-70-5 SOT-363

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99