IPS2041RTRLPBF和VND3NV04-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPS2041RTRLPBF VND3NV04-E VND5N07-E

描述 Power Switch Lo Side 1.4A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RVND3NV04 单通道 低边 自保护 6 V 7 A 120 mOhm 功率MOSFET - TO-252-3OMNIFET 全自动保护功率 MOSFET,STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器,根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载,尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器电源管理

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

输出接口数 1 1 1

漏源极电阻 - 120 mΩ 0.2 Ω

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 1 W 35000 mW 60 W

漏源击穿电压 - 40.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) - 3.50 A 5.00 A

输出电流(Max) - 3.5 A 3.5 A

输入数 - 1 1

耗散功率(Max) 1000 mW 35000 mW 60000 mW

输出电流 1.4 A - 7 A

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 4V ~ 5.5V - -

输入电压 4V ~ 5.5V - 18 V

供电电流 - - 0.25 mA

通道数 - - 1

阈值电压 - - 55 V

漏源极电压(Vds) - - 70 V

输入电压(Max) - - 18 V

输出电流(Min) - - 5 A

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

高度 2.39 mm - 2.4 mm

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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