对比图
型号 FQPF2N90 SPA04N80C3 STD15NF10T4
描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETINFINEON SPA04N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 800 V, 1.1 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
额定电压(DC) 900 V 800 V 100 V
额定电流 1.40 A 4.00 A 23.0 A
漏源极电阻 7.20 Ω 1.1 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35W (Tc) 38 W 70 W
漏源极电压(Vds) 900 V 800 V 100 V
漏源击穿电压 900 V - 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.40 A 4.00 A 23.0 A
输入电容(Ciss) 500pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 35 W 38 W 70 W
耗散功率(Max) 35W (Tc) 38W (Tc) 70W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 3 V
上升时间 - 15 ns 45 ns
下降时间 - 12 ns 17 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定功率 - 38 W -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 - 10.65 mm 6.6 mm
宽度 - 4.85 mm 6.2 mm
高度 - 16.15 mm 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99