DTA123EM3T5G和MMUN2135LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA123EM3T5G MMUN2135LT1G 2PD601AQW,115

描述 数字晶体管( BRT ) PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTORUMT NPN 50V 0.1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-723-3 SOT-23-3 SOT-323-3

引脚数 3 3 -

极性 PNP PNP NPN

耗散功率 260 mW 0.4 W 200 mW

增益频宽积 - - 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 8 @5mA, 10V 80 @5mA, 10V 160 @2mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 - 160 @2mA, 10V

额定功率(Max) 260 mW 246 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

耗散功率(Max) 600 mW 400 mW -

额定电压(DC) -50.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

长度 1.2 mm - 2.2 mm

宽度 0.8 mm - 1.35 mm

高度 0.5 mm - 1 mm

封装 SOT-723-3 SOT-23-3 SOT-323-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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