对比图
描述 STMICROELECTRONICS BDX53B 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 60 W, 8 A, 750 hFE达林顿晶体管 NPN Si Transistor Epitaxial达林顿互补硅功率晶体管 Darlington Complementary Silicon Power Transistors
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 80.0 V 80.0 V
额定电流 - 8.00 A 8.00 A
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 60 W 60 W 2000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 - 8A 8A
最小电流放大倍数(hFE) 750 @3A, 3V 750 @3A, 3V 1000 @4A, 4V
额定功率(Max) 60 W 60 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 2000 mW
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 750 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm 10.1 mm -
宽度 4.6 mm 4.7 mm -
高度 9.15 mm 9.4 mm -
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Unknown
包装方式 Tube Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99