对比图
型号 BUK763R1-40B,118 STB190NF04T4 STB200NF04T4
描述 D2PAK N-CH 40V 75AN沟道40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 40.0 V 40.0 V
额定电流 - 120 A 120 A
漏源极电阻 - 4.30 mΩ 3.70 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 310W (Tc) 310000 mW
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
漏源击穿电压 - 40.0 V 40.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75A 120 A 120 A
上升时间 82 ns - 320 ns
输入电容(Ciss) 6808pF @25V(Vds) 5800pF @25V(Vds) 5100pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W - 310 W
下降时间 90 ns - 120 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 310W (Tc) 310000 mW
长度 - - 10.4 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free