BST82,235和BST82,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BST82,235 BST82,215 MMBF170

描述 TO-236AB N-CH 100V 0.19ANXP  BST82,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 190 mA, 100 V, 5 ohm, 5 V, 2 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF170  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 5 Ω 5 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 830mW (Tc) 830 mW 300 mW

阈值电压 - 2 V 2.1 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 0.19A 190 mA 500 mA

输入电容(Ciss) 40pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds) 40pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 830 mW 300 mW

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 830mW (Tc) 830mW (Tc) 300mW (Ta)

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 500 mA

输入电容 - - 40.0 pF

漏源击穿电压 - - 60.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 2.92 mm

高度 - - 0.93 mm

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台