对比图
型号 STB6N62K3 STD6N62K3 FQB6N70TM
描述 N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道 700V 6.2A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) - - 700 V
额定电流 - - 6.20 A
通道数 - - 1
漏源极电阻 0.95 Ω 0.95 Ω 1.16 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 90 W 90 W 3.13 W
漏源极电压(Vds) 620 V 620 V 700 V
漏源击穿电压 - - 700 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.5A 5.5A 6.20 A
上升时间 - 12 ns 70 ns
输入电容(Ciss) 875pF @50V(Vds) 706pF @50V(Vds) 1400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 90 W 3.13 W
下降时间 - 20 ns 50 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)
阈值电压 3.75 V 3.75 V -
针脚数 - 3 -
输入电容 - 875 pF -
长度 10.75 mm 6.6 mm 10.67 mm
宽度 10.4 mm 6.2 mm 9.65 mm
高度 4.6 mm 2.4 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2014/06/16 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99