对比图
型号 FDP75N08A STP75NF75 IRF2807ZPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.5Milliohms; ID 89A; TO-220AB; PD 170W; -55deg
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V 75.0 V
额定电流 75.0 A 80.0 A 75.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 11 mΩ 0.0095 Ω 9.4 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 137 W 300 W 170 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75 V 75.0 V 75 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 75.0 A
上升时间 212 ns 25.0 ns 79.0 ns
输入电容(Ciss) 4468pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 3270pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 137 W 300 W 170 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - 175 ℃ -
耗散功率(Max) 137W (Tc) 300W (Tc) -
输入电容 4.47 nF - 3270pF @25V
栅电荷 104 nC - -
下降时间 147 ns - -
产品系列 - - IRF2807Z
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm -
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/06/16 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -