FDP6670AL和STP80NF03L-04

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP6670AL STP80NF03L-04 GFP75N03

描述 N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP80NF03L-04  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 VTO-220AB N-CH 30V 80A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 80.0 A -

额定功率 - 300 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.0065 Ω 0.004 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 75 W 300 W -

阈值电压 1.9 V 1 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 30.0 V 30 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80.0 A 80A

上升时间 - 270 ns -

输入电容(Ciss) 2440pF @15V(Vds) 5500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 68 W 300 W -

下降时间 - 95 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) 68W (Tc) 300W (Tc) -

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown -

包装方式 Rail, Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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