对比图
型号 IRFB4610PBF STP80NF10 STP120NF10
描述 N沟道,100V,73A,14mΩ@10VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 73.0 A 80.0 A 120 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 11.0 mΩ 0.012 Ω 0.009 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 190 W 300 W 312 W
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100V (min) 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 73.0 A 80.0 A 110 A
上升时间 87.0 ns 80 ns 90 ns
输入电容(Ciss) 3550pF @50V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 190 W 300 W 312 W
下降时间 - 60 ns 68 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc) 312000 mW
额定功率 - 300 W -
输入电容 - 5500 pF -
产品系列 IRFB4610 - -
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99