STD100N3LF3和STU150N3LLH6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD100N3LF3 STU150N3LLH6 IRLR7833PBF

描述 N沟道30 V , 0.0045 Ω , 80 A, DPAK平面的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0045 Ω, 80 A, DPAK planar STripFET? II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STU150N3LLH6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 VN沟道 30V 140A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 99.0 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 110 W 140 W

产品系列 - - IRLR7833

阈值电压 - 1 V 1.4V ~ 2.3V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V 30.0 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A 140 A

上升时间 205 ns 18 ns 6.90 ns

输入电容(Ciss) 2060pF @25V(Vds) 4040pF @25V(Vds) 4010pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 110 W - 140 W

通道数 1 1 -

下降时间 35 ns 46 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0024 Ω -

封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-252-3

宽度 6.2 mm 2.4 mm -

长度 - 6.6 mm -

高度 - 6.9 mm -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -

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