对比图
型号 IRFH5206TRPBF SI7164DP-T1-GE3 SI7460DP-T1-GE3
描述 INFINEON IRFH5206TRPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 89A, PQFN-8, 整卷VISHAY SI7164DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 0.005 ohm, 10 V, 2.5 VVISHAY SI7460DP-T1-GE3 晶体管, MOSFET, 沟槽式FET, N沟道, 11 A, 60 V, 0.008 ohm, 10 V, 3 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PQFN-8 PowerPAK SO PowerPAK SO
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0056 Ω 0.005 Ω 0.08 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.6 W 104 W 5.4 W
阈值电压 2 V 2.5 V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 89.0 A 60.0 A 11.0 A, 18.0 A
上升时间 11 ns 11 ns 16 ns
输入电容(Ciss) 2490pF @25V(Vds) 2830pF @30V(Vds) -
下降时间 8.2 ns 11 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.6W (Ta), 100W (Tc) 104 W -
额定功率 3.6 W - -
产品系列 IRFH5206 - -
长度 6 mm 6.25 mm -
宽度 5 mm 5.26 mm -
高度 0.83 mm 1.12 mm -
封装 PQFN-8 PowerPAK SO PowerPAK SO
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 -
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - -