对比图
型号 STD10NM65N STU10NM65N STP10NM65N
描述 STMICROELECTRONICS STD10NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.43 ohm, 10 V, 3 VN沟道650 V， 0.43 Ω ， 9的的MDmesh ？二功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK N-channel 650 V, 0.43 Ω, 9 A MDmesh? II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKSTMICROELECTRONICS STP10NM65N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 650 V, 430 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-220-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.43 Ω - 430 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 90 W 90W (Tc) 90 W
阈值电压 3 V - 3 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 9A - 4.50 A
上升时间 8 ns - 8 ns
输入电容(Ciss) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds) 850pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 90 W - 90 W
下降时间 20 ns - 20 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 90W (Tc) 90W (Tc) 90W (Tc)
通道数 1 - -
长度 6.6 mm - 10.4 mm
宽度 6.2 mm - 4.6 mm
高度 2.4 mm - 15.75 mm
封装 TO-252-3 TO-251-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 - - EAR99