对比图
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD8870 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 0.0032Ω, 160A, TO-252AA-3N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 160 A 17.0 A
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.0032 Ω 0.05 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 160 W 30 W
阈值电压 1.2 V 1.5 V
输入电容 5.16 nF 320 pF
栅电荷 91.0 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 160 A 17.0 A
上升时间 83 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 5160pF @15V(Vds) 320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 160 W 30 W
下降时间 42 ns 22 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 160W (Tc) 30W (Tc)
长度 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99