对比图
型号 STF13NM60N STFI13NM60N FCPF11N60
描述 N 通道 MDmesh™，600V/650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics600V,11A,N沟道MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF11N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.32 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 11.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 360 mΩ - 0.32 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 25 W 25 W 36 W
阈值电压 - - 5 V
输入电容 790 pF - 1.15 nF
栅电荷 - - 40.0 nC
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 650 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.50 A - 11.0 A
上升时间 8 ns 8 ns 98 ns
输入电容(Ciss) 790pF @50V(Vds) 790pF @50V(Vds) 1490pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 25 W - 36 W
下降时间 10 ns 10 ns 56 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 25W (Tc) 25W (Tc) 36W (Tc)
通道数 1 - -
长度 10.4 mm - 10.16 mm
宽度 4.6 mm - 4.7 mm
高度 16.4 mm - 9.19 mm
封装 TO-220-3 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Rail
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 NLR - -