对比图
型号 FQP13N10 STP80NF10 IRFZ14PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsVISHAY IRFZ14PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 60 V, 200 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 100 V 100 V 60.0 V
额定电流 12.8 A 80.0 A 10.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.142 Ω 0.012 Ω 0.2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 65 W 300 W 36 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 - 5500 pF 300pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 12.8 A 80.0 A 10.0 A
上升时间 55 ns 80 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 450pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)
下降时间 25 ns 60 ns 19 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 65W (Tc) 300W (Tc) 43 W
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -
额定功率(Max) 65 W 300 W -
额定功率 - 300 W -
通道数 - 1 -
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.51 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 15.49 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
包装方式 Tube Tube Tube
产品生命周期 Active Active -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -