STP210N75F6和STW160N75F3

对比图

型号 STP210N75F6 STW160N75F3 IRFB3607PBF

描述 STMICROELECTRONICS  STP210N75F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS  STW160N75F3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 3.5 mohm, 10 V, 4 VN沟道,75V,80A,9mΩ@10V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.003 Ω 3.5 mΩ -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 330 W 140 W

阈值电压 2 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 120A 60.0 A 80.0 A

上升时间 70 ns 65 ns -

输入电容(Ciss) 11800pF @25V(Vds) 6750pF @25V(Vds) 3070pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 330 W 140 W

下降时间 71 ns 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 330W (Tc) -

产品系列 - - IRFB3607

长度 10.4 mm 15.75 mm -

宽度 4.6 mm 5.15 mm -

高度 15.75 mm 20.15 mm -

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tube Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -