2SA1162和FMMT5087TA的区别_2SA1162代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

描述 Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) Audio Frequency General Purpose Amplifier ApplicationsSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, SiliconTransistor

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Diodes (美台) Motorola (摩托罗拉)

分类

基础参数对比

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

长度 - 3.05 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free - -

极性 - PNP -

耗散功率 - 330 mW -

增益频宽积 - 40 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 250 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 330 mW -

材质 - Silicon -