2SA1312和BSS63LT1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2SA1312 BSS63LT1 2SA1163

描述 2SA1312 PNP三极管 -120V -100mA/-0.1A 100MHz 200~400 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 ABG 音频高频放大器高压晶体管 High Voltage Transistor2SA1163 PNP三极管 -120V -100mA/-0.1A 100MHz 350~700 -300mV/-0.3V SOT-23/SC-59 marking/标记 CL 音频放大器

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美) Toshiba (东芝)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

额定电压(DC) - -100 V -

额定电流 - -100 mA -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - 225 W -

增益频宽积 - 95 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 120 V 100 V 120 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - 30 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Contains Lead -

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