BSP299和BSP299 L6327

对比图

型号 BSP299 BSP299 L6327 298E

描述 Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFETINFINEON  BSP299 L6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 400 mA, 500 V, 3.1 ohm, 10 V, 3 VPower Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 400V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-223 SOT-223-4 -

额定电压(DC) - 500 V -

额定电流 - 400 mA -

通道数 - 1 -

针脚数 4 4 -

漏源极电阻 4 Ω 3.1 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 1.8 W 1.8 W -

阈值电压 3 V 3 V -

输入电容 - 400 pF -

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V -

漏源击穿电压 - 500 V -

连续漏极电流(Ids) 400 mA 400 mA -

上升时间 15 ns 15 ns -

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.8 W -

下降时间 15 ns 15 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1.8 W 1800 mW -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

长度 6.5 mm 6.5 mm -

宽度 3.5 mm 3.5 mm -

高度 1.6 mm 1.6 mm -

封装 SOT-223 SOT-223-4 -

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

产品生命周期 Active - Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -