IRFR3910TRLPBF和STD15NF10T4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3910TRLPBF STD15NF10T4 2SK3484-Z-AZ

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.115Ω; ID 16A; D-Pak (TO-252AA); PD 79WSTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 100V 16A

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 79 W 70 W 30 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 23.0 A 16A

上升时间 27.0 ns 45 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds) 900pF @10V(Vds)

下降时间 - 17 ns 4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 70W (Tc) 30000 mW

额定电压(DC) 100 V 100 V -

额定电流 16.0 A 23.0 A -

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 0.115 Ω 0.065 Ω -

阈值电压 4 V 3 V -

漏源击穿电压 100 V 100 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

额定功率(Max) 79 W 70 W -

产品系列 IRFR3910 - -

输入电容 640pF @25V - -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252

长度 6.73 mm 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 2.39 mm 2.4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台